| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | - |
| Vgs (Maks.): | - |
| teknoloji: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AB |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 25 mOhm @ 50A |
| Güç Tüketimi (Max): | 583W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Diğer isimler: | 1242-1191 GA50JT12247 |
| Çalışma sıcaklığı: | 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7209pF @ 800V |
| FET Tipi: | - |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | - |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V |
| Detaylı Açıklama: | 1200V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
