| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | - |
| تكنولوجيا: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25 mOhm @ 50A |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 583W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 1242-1191 GA50JT12247 |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7209pF @ 800V |
| نوع FET: | - |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V |
| وصف تفصيلي: | 1200V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
