| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 3290pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | TO-3P |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | QFET® |
| RoHS Durumu: | Tube |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 11A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Diğer isimler: | FQA11N90CFS |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | FQA11N90C |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 80nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 900V |
| kapasitans Oranı: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
