| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Prova: | 3290pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-3P |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | QFET® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | FQA11N90CFS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA11N90C |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 80nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 900V |
| rapporto di capacità: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
