| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 1mA |
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247 [B] |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 390 mOhm @ 9A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 335W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Diğer isimler: | APT18F60BMI APT18F60BMI-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 11 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 600V 19A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | soruşturma |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | soruşturma |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | soruşturma |
 |
APT1608ZGCK | Kingbright | LED GREEN CLEAR CHIP SMD | soruşturma |
 |
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | soruşturma |
|
APT17F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | soruşturma |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | soruşturma |
 |
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | soruşturma |
 |
APT1608ZGC | Kingbright | LED GREEN CLEAR CHIP SMD | soruşturma |
|
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | soruşturma |
|
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | soruşturma |
 |
APT17F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 | soruşturma |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | soruşturma |
|
APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | soruşturma |
|
APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | soruşturma |
|
APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | soruşturma |
|
APT17F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 | soruşturma |
|
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | soruşturma |
|
APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | soruşturma |
|
APT17F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 | soruşturma |