Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > R6011KNJTL
R6011KNJTL
R6011KNJTL
Artikelnummer:
R6011KNJTL
Tillverkare:
LAPIS Semiconductor
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
44166 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
1.R6011KNJTL.pdf2.R6011KNJTL.pdf
Förfrågan

Introduktion

R6011KNJTL bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för R6011KNJTL, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för R6011KNJTL via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-263
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 3.8A, 10V
Effektdissipation (Max):124W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andra namn:R6011KNJTLTR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:17 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:Schottky Diode (Isolated)
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):600V
detaljerad beskrivning:N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till R6011KNJTL

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
R6012ANJTL Image R6012ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Förfrågan
R6012225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 Förfrågan
R6011230XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 Förfrågan
R6011630XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 Förfrågan
R6012625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 Förfrågan
R6011625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 Förfrågan
R6012030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 Förfrågan
R6011KNX Image R6011KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM Förfrågan
R6012ANX Image R6012ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM Förfrågan
R6011225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 Förfrågan
R6011425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 Förfrågan
R6012FNX Image R6012FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM Förfrågan
R6012025XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 Förfrågan
R6012425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 Förfrågan
R6012FNJTL Image R6012FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A LPT Förfrågan
R6011430XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 Förfrågan
R6011ENX Image R6011ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Förfrågan
R6011ENJTL Image R6011ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A LPT Förfrågan
R6011825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 Förfrågan
R6011830XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 Förfrågan

Latest News