Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICs) > Minne > MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
Artikelnummer:
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
Tillverkare:
Micron Technology
Beskrivning:
IC DRAM 4G 1600MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
57485 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A.pdf
Förfrågan

Introduktion

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för MT53B128M32D1DS-062 AIT:A, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för MT53B128M32D1DS-062 AIT:A via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Skriv cykeltid - Word, Page:-
Spänning - Tillförsel:1.1V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPDDR4
Serier:-
Andra namn:MT53B128M32D1DS-062 AIT:A-ND
MT53B128M32D1DS-062AIT:A
Driftstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Fuktkänslighetsnivå (MSL):3 (168 Hours)
Minnetyp:Volatile
Minnesstorlek:4Gb (128M x 32)
Minnesgränssnitt:-
Minnesformat:DRAM
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
detaljerad beskrivning:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
Klockfrekvens:1600MHz
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 64G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1866MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 64G 1600MHZ Förfrågan
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 64G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1866MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 WT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Förfrågan
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR Micron Technology IC DRAM 4G 1600MHZ Förfrågan
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 64G 1600MHZ Förfrågan

Latest News