Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICs) > Minne > MT46H128M32L2MC-5 WT:B
MT46H128M32L2MC-5 WT:B
Artikelnummer:
MT46H128M32L2MC-5 WT:B
Tillverkare:
Micron Technology
Beskrivning:
IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
47299 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
MT46H128M32L2MC-5 WT:B.pdf
Förfrågan

Introduktion

MT46H128M32L2MC-5 WT:B bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för MT46H128M32L2MC-5 WT:B, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för MT46H128M32L2MC-5 WT:B via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Skriv cykeltid - Word, Page:15ns
Spänning - Tillförsel:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPDDR
Leverantörs Device Package:240-WFBGA (14x14)
Serier:-
Förpackning:Tray
Förpackning / Fodral:240-WFBGA
Andra namn:MT46H128M32L2MC-5 WT:B-ND
MT46H128M32L2MC-5WT:B
Driftstemperatur:-25°C ~ 85°C (TA)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):3 (168 Hours)
Minnetyp:Volatile
Minnesstorlek:4Gb (128M x 32)
Minnesgränssnitt:Parallel
Minnesformat:DRAM
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
detaljerad beskrivning:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 200MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
Klockfrekvens:200MHz
Bas-delenummer:MT46H128M32
Åtkomsttid:5.0ns
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till MT46H128M32L2MC-5 WT:B

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
MT46H16M16LFBF-6 AT:H Image MT46H16M16LFBF-6 AT:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2MC-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Förfrågan
MT46H16M16LFBF-5:H TR Image MT46H16M16LFBF-5:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR Image MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Förfrågan
MT46H16M16LFBF-5:H Image MT46H16M16LFBF-5:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan
MT46H16M16LFBF-5 IT:H Image MT46H16M16LFBF-5 IT:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Image MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Förfrågan

Latest News