Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N6628U
JAN1N6628U
Artikelnummer:
JAN1N6628U
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
Kvantitet:
60545 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
JAN1N6628U.pdf
Förfrågan

Introduktion

JAN1N6628U bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för JAN1N6628U, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för JAN1N6628U via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om:1.35V @ 2A
Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max):600V
Leverantörs Device Package:D-5B
Fart:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serier:Military, MIL-PRF-19500/590
Omvänd återställningstid (trr):30ns
Förpackning:Bulk
Förpackning / Fodral:SQ-MELF, E
Andra namn:1086-19984
1086-19984-MIL
Driftstemperatur - korsning:-65°C ~ 150°C
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodtyp:Standard
detaljerad beskrivning:Diode Standard 600V 1.75A Surface Mount D-5B
Ström - Omvänd läckage @ Vr:2µA @ 600V
Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io):1.75A
Kapacitans @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till JAN1N6628U

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Förfrågan
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Förfrågan
JAN1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Förfrågan
JAN1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL Förfrågan
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Förfrågan
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Förfrågan
JAN1N6630U Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Förfrågan
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Förfrågan
JAN1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF Förfrågan
JAN1N6631US Image JAN1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B Förfrågan
JAN1N6626U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF Förfrågan
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Förfrågan
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Förfrågan
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Förfrågan
JAN1N6631U Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Förfrågan
JAN1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Förfrågan
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Förfrågan
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A Förfrågan
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Förfrågan
JAN1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Förfrågan

Latest News