GA06JT12-247
GA06JT12-247
Artikelnummer:
GA06JT12-247
Tillverkare:
GeneSiC Semiconductor
Beskrivning:
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
47302 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
GA06JT12-247.pdf

Introduktion

GA06JT12-247 bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för GA06JT12-247, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för GA06JT12-247 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Teknologi:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Leverantörs Device Package:TO-247AB
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:220 mOhm @ 6A
Effektdissipation (Max):-
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3
Andra namn:1242-1165
GA06JT12247
Driftstemperatur:175°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
FET-typ:-
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):-
Avlopp till källspänning (Vdss):1200V
detaljerad beskrivning:1200V 6A (Tc) (90°C) Through Hole TO-247AB
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:6A (Tc) (90°C)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer