| Tillstånd | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Distributör | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serier: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 230W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Andra namn: | SP001553580 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4520pF @ 50V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 60V |
| detaljerad beskrivning: | N-Channel 60V 160A (Tc) 230W (Tc) Through Hole |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
