| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±18V |
| Технологии: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 65W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Подробное описание: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
