| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±18V |
| Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
| Strata mocy (max): | 65W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 600V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
