русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
Тип продуктов:
NE3515S02-T1C-A
производитель:
CEL (California Eastern Laboratories)
Описание:
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
82108 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.NE3515S02-T1C-A.pdf2.NE3515S02-T1C-A.pdf
запрос

Введение

NE3515S02-T1C-A лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором NE3515S02-T1C-A, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для NE3515S02-T1C-A по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Напряжение - испытания:2V
Напряжение - Номинальный:4V
Тип транзистор:HFET
Поставщик Упаковка устройства:S02
Серии:-
Выходная мощность:14dBm
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:4-SMD, Flat Leads
Другие названия:NE3515S02-T1C-A-ND
NE3515S02-T1C-ATR
NE3515S02T1CA
Коэффициент шума:0.3dB
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Усиление:12.5dB
частота:12GHz
Подробное описание:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
Текущий рейтинг:88mA
Ток - Тест:10mA
Номер базового номера:NE3515
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для NE3515S02-T1C-A

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
NE3515S02-T1D-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
NE3521M04-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI запрос
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 запрос
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос
NE3517S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 запрос
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 запрос
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX запрос
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 запрос
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 запрос
NE3521M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI запрос
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 запрос
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX запрос
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 запрос
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 запрос
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос

Latest Новости