| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | IPAK (TO-251) |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 66W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Другие названия: | *IRFU5410PBF SP001557796 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 760pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | P-Channel 100V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
