| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | IPAK (TO-251) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 66W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | *IRFU5410PBF SP001557796 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 100V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
