| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 80V, 70V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-MLP (3x2) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | ZXTDE4M832TACT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 160MHz, 180MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 25nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 3.5A, 2.5A |
| Número da peça base: | ZXTDE4M832 |
| Email: | [email protected] |
