| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 80V, 70V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-MLP (3x2) |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | ZXTDE4M832TACT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 160MHz, 180MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 25nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 3.5A, 2.5A |
| Numero di parte base: | ZXTDE4M832 |
| Email: | [email protected] |
