ZXMHN6A07T8TA
ZXMHN6A07T8TA
Modelo do Produto:
ZXMHN6A07T8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
91933 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
ZXMHN6A07T8TA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SM8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 1.8A, 10V
Power - Max:1.6W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-223-8
Outros nomes:1034-ZXMHN6A07T8CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:166pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.4A
Email:[email protected]

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