ZXMHN6A07T8TA
ZXMHN6A07T8TA
Modello di prodotti:
ZXMHN6A07T8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
91933 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
ZXMHN6A07T8TA.pdf

introduzione

ZXMHN6A07T8TA miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di ZXMHN6A07T8TA, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ZXMHN6A07T8TA via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SM8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 1.8A, 10V
Potenza - Max:1.6W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-223-8
Altri nomi:1034-ZXMHN6A07T8CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:166pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti