ZXMD65P03N8TA
ZXMD65P03N8TA
Modello di prodotti:
ZXMD65P03N8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
63863 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
ZXMD65P03N8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 4.9A, 10V
Potenza - Max:1.75W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMD65P03N8CT
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:930pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25.7nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.8A 1.75W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A
Numero di parte base:ZXMD65P03
Email:[email protected]

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