SIB911DK-T1-E3
Modelo do Produto:
SIB911DK-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
61236 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIB911DK-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SC-75-6L Dual
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power - Max:3.1W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SC-75-6L Dual
Outros nomes:SIB911DK-T1-E3CT
SIB911DKT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:115pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 8V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.6A
Número da peça base:SIB911
Email:[email protected]

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