| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Moc - Max: | 3.1W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Inne nazwy: | SIB911DK-T1-E3CT SIB911DKT1E3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 115pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4nC @ 8V |
| Rodzaj FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Podstawowy numer części: | SIB911 |
| Email: | [email protected] |
