SI4622DY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4622DY-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
51398 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4622DY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:SkyFET®, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 9.6A, 10V
Power - Max:3.3W, 3.1W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4622DY-T1-GE3CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2458pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A
Número da peça base:SI4622
Email:[email protected]

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