SI4622DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4622DY-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
51398 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SI4622DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

أفضل سعر SI4622DY-T1-GE3 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ SI4622DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على SI4622DY-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:SkyFET®, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:16 mOhm @ 9.6A, 10V
السلطة - ماكس:3.3W, 3.1W
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4622DY-T1-GE3CT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2458pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Standard
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A
رقم جزء القاعدة:SI4622
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات