SI2316BDS-T1-E3
Modelo do Produto:
SI2316BDS-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
71886 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI2316BDS-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:50 mOhm @ 3.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SI2316BDS-T1-E3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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