SI2311DS-T1-E3
Modelo do Produto:
SI2311DS-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
75250 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI2311DS-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):710mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição detalhada:P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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