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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L
Modelo do Produto:
RV2C002UNT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
66085 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RV2C002UNT2L.pdf2.RV2C002UNT2L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN1006-3 (VML1006)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):100mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-101, SOT-883
Outros nomes:RV2C002UNT2LTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180mA (Ta)
Email:[email protected]

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