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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L
Modello di prodotti:
RV2C002UNT2L
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66085 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.RV2C002UNT2L.pdf2.RV2C002UNT2L.pdf
Inchiesta

introduzione

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BOSER Technology è il distributore di RV2C002UNT2L, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RV2C002UNT2L via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1006-3 (VML1006)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:RV2C002UNT2LTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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