PSMN1R1-30EL,127
PSMN1R1-30EL,127
Modelo do Produto:
PSMN1R1-30EL,127
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
58793 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PSMN1R1-30EL,127.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):338W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:1727-5287
568-6715
568-6715-5
568-6715-5-ND
568-6715-ND
934065159127
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14850pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:243nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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