PSMN1R1-30EL,127
PSMN1R1-30EL,127
Número de pieza:
PSMN1R1-30EL,127
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
58793 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
PSMN1R1-30EL,127.pdf

Introducción

PSMN1R1-30EL,127 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de PSMN1R1-30EL,127, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para PSMN1R1-30EL,127 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):338W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:1727-5287
568-6715
568-6715-5
568-6715-5-ND
568-6715-ND
934065159127
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14850pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:243nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios