PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
Modelo do Produto:
PMV120ENEAR
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
39952 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PMV120ENEAR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236AB (SOT23)
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:123 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:1727-2525-1
568-12964-1
568-12964-1-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 2.1A (Ta) 513mW (Ta), 6.4W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.1A (Ta)
Email:[email protected]

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