PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
Modello di prodotti:
PMV120ENEAR
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
39952 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMV120ENEAR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-236AB (SOT23)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:123 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):513mW (Ta), 6.4W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:1727-2525-1
568-12964-1
568-12964-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 2.1A (Ta) 513mW (Ta), 6.4W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Ta)
Email:[email protected]

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