PMV16UN,215
PMV16UN,215
Modello di prodotti:
PMV16UN,215
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
45756 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMV16UN,215.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-236AB (SOT23)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):510mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:568-7533-2
934065646215
PMV16UN215
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 5.8A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A (Ta)
Email:[email protected]

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