NTMD6P02R2SG
Modelo do Produto:
NTMD6P02R2SG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
48078 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTMD6P02R2SG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power - Max:750mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A
Número da peça base:NTMD6P02
Email:[email protected]

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