NTMD6P02R2SG
Modello di prodotti:
NTMD6P02R2SG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
48078 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTMD6P02R2SG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Potenza - Max:750mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A
Numero di parte base:NTMD6P02
Email:[email protected]

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