NAND512R3A2BZA6E
NAND512R3A2BZA6E
Modelo do Produto:
NAND512R3A2BZA6E
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
64792 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NAND512R3A2BZA6E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:60ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Embalagem do dispositivo fornecedor:63-VFBGA (8.5x15)
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:63-VFBGA
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Non-Volatile
Tamanho da memória:512Mb (64M x 8)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:FLASH
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15)
Número da peça base:NAND512
Tempo de acesso:60ns
Email:[email protected]

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