NAND512R3A2BZA6E
NAND512R3A2BZA6E
部品型番:
NAND512R3A2BZA6E
メーカー:
STMicroelectronics
説明:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
64792 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
NAND512R3A2BZA6E.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:60ns
電源電圧 - :1.7 V ~ 1.95 V
技術:FLASH - NAND
サプライヤデバイスパッケージ:63-VFBGA (8.5x15)
シリーズ:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:63-VFBGA
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:512Mb (64M x 8)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15)
ベース部品番号:NAND512
アクセス時間:60ns
Email:[email protected]

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