MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G
Modelo do Produto:
MUN5333DW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
68071 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MUN5333DW1T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MUN5333DW1T1G-ND
MUN5333DW1T1GOSTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:MUN53**DW1
Email:[email protected]

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