MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G
Part Number:
MUN5333DW1T1G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
68071 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
MUN5333DW1T1G.pdf

Úvod

MUN5333DW1T1G nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem MUN5333DW1T1G, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro MUN5333DW1T1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC:250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dodavatel zařízení Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - emitorová základna (R2):47 kOhms
Rezistor - základna (R1):4.7 kOhms
Power - Max:250mW
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ostatní jména:MUN5333DW1T1G-ND
MUN5333DW1T1GOSTR
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:40 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod:-
Detailní popis:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max):500nA
Proud - Collector (Ic) (Max):100mA
Číslo základní části:MUN53**DW1
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře