MTD3055VL
Modelo do Produto:
MTD3055VL
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54749 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MTD3055VL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 6A, 5V
Dissipação de energia (Max):3.9W (Ta), 48W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MTD3055VLDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 12A (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
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