MTD3055VL
Modello di prodotti:
MTD3055VL
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54749 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MTD3055VL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 6A, 5V
Dissipazione di potenza (max):3.9W (Ta), 48W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MTD3055VLDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 12A (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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