| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | 4 NPN (Quad) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-116 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 650mW |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Request inventory verification / Request inventory verification |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
