| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 40V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo de transistor: | 4 NPN (Quad) |
| Paquete del dispositivo: | TO-116 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 650mW |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Request inventory verification / Request inventory verification |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 10nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
