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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > JAN2N3499L
JAN2N3499L
Modelo do Produto:
JAN2N3499L
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS NPN 100V 0.5A TO5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
82228 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JAN2N3499L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.4V @ 30mA, 300mA
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-5
Série:Military, MIL-PRF-19500/366
Power - Max:1W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Outros nomes:1086-20828
1086-20828-MIL
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA 1W Through Hole TO-5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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