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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N3499L
JAN2N3499L
Modello di prodotti:
JAN2N3499L
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS NPN 100V 0.5A TO5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
82228 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JAN2N3499L.pdf
Inchiesta

introduzione

JAN2N3499L miglior prezzo e consegna veloce.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.4V @ 30mA, 300mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-5
Serie:Military, MIL-PRF-19500/366
Potenza - Max:1W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Altri nomi:1086-20828
1086-20828-MIL
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA 1W Through Hole TO-5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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