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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFE55N50
IXFE55N50
IXFE55N50
Modelo do Produto:
IXFE55N50
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
49903 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXFE55N50.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 47A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

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