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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFE55N50
IXFE55N50
IXFE55N50
Modello di prodotti:
IXFE55N50
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
49903 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFE55N50.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 47A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

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