| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Micro3™/SOT-23 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 540mW (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 97pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.7V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 780mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
