| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 210 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | *IRF7350PBF SP001554224 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Standard |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.1A, 1.5A |
| Número da peça base: | IRF7350PBF |
| Email: | [email protected] |
